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        其以氣體作為主要的蝕刻媒介,并藉由等離子體能量來(lái)驅(qū)動(dòng)反應(yīng).在半導(dǎo)體的制程中,蝕刻被用來(lái)將某種材質(zhì)自晶圓表面上移除.

        在半導(dǎo)體工藝中,刻蝕是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅表面去除不需要的材料,在硅片上復(fù)制所需圖形的工藝步驟.反應(yīng)離子蝕刻的各向異性可以實(shí)現(xiàn)細(xì)微圖形的轉(zhuǎn)換,隨著大規(guī)模集成電路工藝技術(shù)的發(fā)展,為滿足越來(lái)越小的尺寸要求,反應(yīng)離子刻蝕已成為亞微米及以下尺寸最主要的蝕刻方式.通過(guò)對(duì)刻蝕工藝的研究,選擇恰當(dāng)工藝參數(shù) ( 如射頻功率、氣壓、氣體流量等等 ),可獲得最佳工藝條件,并在保證刻蝕效果的同時(shí)提高刻蝕速率,是刻蝕工藝所追求的目標(biāo).

        華之尊公司也有這一款干式蝕刻機(jī)HZZ-H500,它的每一組系統(tǒng)里面都包含了原裝進(jìn)口雷射源(Fiber or UV) ,驅(qū)動(dòng)程式 ,光學(xué)系統(tǒng)組 ,X-Y軸直交型線性馬達(dá)運(yùn)動(dòng)系統(tǒng) ,Z軸焦距微調(diào)平臺(tái) ,平臺(tái)5相微步進(jìn)馬達(dá) ,CCD智能型自動(dòng)定位系統(tǒng).優(yōu)越的性能,高水平的質(zhì)量,成為了越來(lái)越多客戶共同的選擇.

        過(guò)去,在集成電路(IC)引線框的生產(chǎn)中廣為采用的是沖制成形工藝技術(shù).為了適應(yīng)適應(yīng)微組裝高集成對(duì)引線框架提出的高精度,多腳數(shù)的需求,目前都采用了蝕刻法制作IC引線框架.

        干式蝕刻機(jī)在生產(chǎn)上的應(yīng)用越來(lái)越廣,華之尊會(huì)一直努力奮進(jìn),刻苦專研,打造出領(lǐng)先全國(guó)的干式蝕刻機(jī).